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PECVD等离子化学气相沉积系统I型

发布时间:2017-11-15  浏览次数:579

PECVD 等离子体化学气相沉积

箱式炉商品规格:PECVD等离子体化学气沉积
商品简述:PECVD 等离子体化学气沉积该产品具有固态等离子源、PECVD化学气沉积、分开式反应气体进气系统,动态衬底温控,控制真空系统,
适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料。

PECVD 等离子体化学气沉积参数

型  号

流量控制

清洗镀膜RF功率

管径

最大式样尺寸 in

加热区

最高

温度

外形尺寸mm

功率

重 量

 

 

 

(外)mm

 

长度mm

 

 

Kg(约)

NBD-PECVD1200-80ITD2Z

两路质量流量计

20~200W可调

Φ60Φ80

2~3″

200

1200℃

1300

1260

820

AC220V

4kw

360

*可非标定制,欢迎来电垂询!

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